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提供了一种用于具有下部填充的吸热器（４６，４６’，７８，７８’）的半导体器件（４０，６１－１３，６１－１５，６１－１８，６１－１９）的衬底（４０，６１－１３，６１－１５，６１－１８，６１－１９）和方法（６０－５…６０－１９，１００，２００）...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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