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这里公开了一种具有垂直拓扑的发光二极管。具体地说，提供了一种能够改善发光效率及其可靠性并且还能够实现大规模生产的具有垂直拓扑的发光二极管及其制造方法。该方法包括在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成第一电极；在第一电极上形成支撑层；在衬底和...
该专利属于LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过LG电子株式会社;LG伊诺特有限公司授权不得商用。

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