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用于制造氧化物层的方法包括使金属表面氧化，其中所述金属表面与电子控制单元（ＥＣＵ）电连接；其中，与通过在没有ＥＣＵ下使所述金属表面氧化所制造的金属氧化物层中存在的金属的量相比，所制造的金属氧化物层具有更高的存在于所述金属氧化物层的金属量；或...该专利属于应用半导体国际有限公司;普林斯顿大学理事会所有，仅供学习研究参考，未经过应用半导体国际有限公司;普林斯顿大学理事会授权不得商用。