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本发明涉及一种快恢复二极管（ＦＲＤ）芯片及其生产工艺，采用扩散前处理、液态源两次扩散、背面减薄、氧化、铂扩散、光刻、台面腐蚀、电泳、烧结、划片等工艺步骤生产结构为Ｐ＋ＮＮ＋的二极管，芯片生产工艺采用携带液态磷源深结扩散的方法，提高了扩散结的...
该专利属于天津中环半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环半导体股份有限公司授权不得商用。

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