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本发明公开了一种原位合成制备化合物芯片的方法，首先在基底上制备紫外ＬＥＤ发光阵列，所述发光阵列分布与待合成化合物的预设点位一致；然后对紫外ＬＥＤ发光阵列或者其它芯片材料进行表面修饰，在其上表面形成一层活性基团，并连接带有光脱保护基团的化合物...
该专利属于苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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