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本发明涉及一种三氯氢硅的合成工艺。一种三氯氢硅的合成工艺，包括供料进炉、加压反应，本发明的目的是提供加压反应的合理压力值为０．１７－０．１９ＭＰａ，使三氯氢硅的纯度提高到≥９０％，转化率达到９０％，提高了工作效率和最后产品的质量，且安全性更...
该专利属于乐山永祥硅业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过乐山永祥硅业有限公司授权不得商用。

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