下载一种宽光谱吸收的量子点敏化的宽带半导体光阳极的技术资料

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本发明提供了一种宽光谱吸收的量子点敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法,在宽带半导体膜电极表面包覆有多种窄带半导体量子点,半导体量子点自宽带半导体表面起由里至外依次叠加,量子点导带位置比宽带半导体高且由里至外依次升高,量子点的禁带宽度在0.9...
该专利属于中国科学院广州能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院广州能源研究所授权不得商用。

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