下载利用层转移工艺制造太阳能电池的方法和结构的技术资料

文档序号:5350794

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本发明公开了一种用于层转移工艺的可重复使用的硅衬底装置。该装置具有可重复使用的衬底,其具有表面区域、解理区域、以及总厚度的材料。总厚度的材料比待去除的第一厚度的材料大至少N倍。在一种特定的实施方式中,待去除的第一厚度的材料位于表面区域和解理...
该专利属于硅源公司所有,仅供学习研究参考,未经过硅源公司授权不得商用。

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