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提供光伏器件。该光伏器件包括吸收层，其包括ｐ型半导体，其中至少一层设置在该吸收层之上。该至少一层是具有比该吸收层的载流子密度高的载流子密度的半导体。该至少一层包括硅。该至少一层包括ｐ＋型半导体。该吸收层基本上没有硅。提供形成该光伏器件的方法...
该专利属于通用电气公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用电气公司授权不得商用。

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