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本发明是一种制造介质／氮化物复合结构增强型场效应管的方法，其工艺为，在衬底上依次生长ＡｌＧａＮ缓冲层、ＧａＮ沟道层、ＡｌＮ插入层、ＡｌＧａＮ势垒层和ＡｌＩｎＮ帽层；由ＡｌＩｎＮ／ＡｌＧａＮ／ＡｌＮ复合前势垒和ＧａＮ／ＡｌＧａＮ背势垒构成强量...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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