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本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极,依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层,其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备是依次包括导电玻璃层...该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。
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本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极,依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层,其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备是依次包括导电玻璃层...