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本发明涉及一种Ｓｉ／Ｍｎ２７Ｓｉ４７核壳结构纳米线阵列的制备方法。本发明将表面刻蚀出垂直定向站立排列的硅纳米线阵列的单晶硅基片置于ＭｎＣｌ２的乙醇溶液中浸泡，取出后自然晾干，再将晾干的单晶硅基片放入氧化铝瓷舟中，并放入管式炉的中心；向管式炉...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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