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本发明提供一种用于执行暗场双偶极子光刻的方法。该方法包括以下步骤：识别具有包括水平和垂直特征的多个特征的目标图案；基于目标图案生成水平掩模，其中水平掩模包括低对比度垂直特征。水平掩模的生成包括以下步骤：优化在水平掩模中所包含的低对比度垂直特...
该专利属于ＡＳＭＬ蒙片工具有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ＡＳＭＬ蒙片工具有限公司授权不得商用。

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