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本发明公开了一种基于外延材料应力控制的ＧａＮ厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的位置时，工艺条件跃变...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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