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一种氮氧化物传感器芯片制造技术
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下载一种氮氧化物传感器芯片的技术资料
文档序号:5192047
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本发明公开了一种氮氧化物传感器芯片,由六层基片第一层至第六层基片叠压而成,六层基片的材质均为氧化锆,第二层基片上包括四个空腔,第一空腔、第二空腔、第三空腔、第四空腔,四个空腔之间依次分别设置有三列扩散障碍层,第三空腔内设置有第一电极,第四空...
该专利属于无锡隆盛科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡隆盛科技有限公司授权不得商用。
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