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本发明涉及一种微机电前处理方法及结构，可应用于半导体制程。微机电前处理方法为在硅基底上形成内含微结构、多个金属插销堆叠层、多个金属电路与金属连接层的绝缘层。其中微结构与金属电路平行并排于绝缘层内，金属插销堆叠层位于微结构的周侧，而金属连接层...
该专利属于微智半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微智半导体股份有限公司授权不得商用。

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