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本发明的目的在于提供一种功率半导体装置及其制造方法，以能够不将电路图案的非电解Ｎｉ－Ｐ镀层的厚度厚膜化来抑制Ｎｉ－Ｐ镀层中的Ｎｉ扩散至焊锡中，且可以提高可靠性及成品率。该功率半导体装置包括：衬底；元件用电路图案，是形成于该衬底上，由Ｎｉ－Ｐ...
该专利属于三菱电机株式会社;千住金属工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社;千住金属工业株式会社授权不得商用。

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