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本发明公开了一种高阻硅的电阻率测试方法，属于电阻率测试领域。该电阻率测试方法引进了高精密电阻率测试系统，在测试过程中的待测硅晶体表面处理工序增加了酒精擦除的步骤，并且通过多次实验选定了最为适当的测试环境，使得在保证高精密电阻率测试系统的性能...
该专利属于峨嵋半导体材料研究所所有，仅供学习研究参考，未经过峨嵋半导体材料研究所授权不得商用。

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