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一种用于消弧、消谐及过电压保护的ＺｎＯ与ＳｉＣ复合电路，其特征是：由三组ＺｎＯ非线性电阻（１、４、７）分别与三组ＳｉＣ与ＺｎＯ非线性电阻（２、３）、（５、６）、（８、９）相并联后的电路相串联，组成星形连接，其连接节点为中性点，在中性点（１２...
该专利属于朱仲彦所有，仅供学习研究参考，未经过朱仲彦授权不得商用。

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