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金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板制造技术
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文档序号:5155978
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本发明公开一种金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板,包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极;所述的硅基底具有通孔结构,硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层,氮化硅截止层上表面设有二氧...
该专利属于南京工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京工业大学授权不得商用。
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