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本发明公开了一种基于应力作用的逐单元分离蓝宝石衬底的方法，采用第一类型激光实现ＧａＮ基外延的单元隔离，保证ＧａＮ基外延的单元独立性，同时利用第二类型激光扫描单元蓝宝石衬底与相邻未扫描单元蓝宝石衬底之间切向上的应力及ＧａＮ界面处氮气压力的共同...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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