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本发明公开一种降低背沟道刻蚀型ＴＦＴ漏电流的方法，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将ＴＦＴ沟道区覆盖。本发明由于在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在ＴＦＴ的沟道区保护层上增加一附...
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