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低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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