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本发明公开了一种薄膜沉积方法，该方法包括：在晶舟的每个格子上放置一片晶圆，将晶舟装载至反应腔内，并向反应腔内通入反应气体，其中，按照从上到下的顺序相邻格子之间的间距为一等差数列；调整反应腔的上部温度、上中部温度、中部温度、中下部温度和下部温...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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