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本发明涉及一种应力记忆作用半导体器件的制造方法,包括如下步骤:提供半导体基底,在所述半导体基底上形成晶体管;在所述晶体管的表面沉积应力传递层;在所述应力传递层的表面沉积应力层;对所述晶体管的有源区进行热退火;去除应力层;制作互连结构。与现有...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种应力记忆作用半导体器件的制造方法,包括如下步骤:提供半导体基底,在所述半导体基底上形成晶体管;在所述晶体管的表面沉积应力传递层;在所述应力传递层的表面沉积应力层;对所述晶体管的有源区进行热退火;去除应力层;制作互连结构。与现有...