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本发明公开一种图形掩埋方法和利用该方法提高ＧａＮ基ＬＥＤ发光效率的方法。该方法包括：利用具有规则分布的图案的掩模，在ＧａＮ薄层上进行选择性刻蚀，形成具有规则分布的凹槽，再通过控制ＧａＮ外延生长中的侧向生长速度，将凹槽掩埋在ＧａＮ外延层中并形...
该专利属于上海宇体光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宇体光电有限公司授权不得商用。

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