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本发明公开了一种改进芯片切割工艺的方法，所述方法包括如下步骤：在待切割的芯片表面的钝化层上涂覆光刻胶；刻蚀晶片表面的钝化层，露出焊垫表面，剥离光刻胶；对露出的金属层进行氧化，生成金属氧化层。所述方法还包括对芯片进行电性验收测试；对芯片外观进...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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