温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种扩散区的形成方法，包括：在半导体衬底表面形成预掺杂层，所述预掺杂层内具有掺杂离子；在所述预掺杂层上形成保护层；对所述半导体衬底进行退火，使所述预掺杂层内的掺杂离子扩散入所述半导体衬底内。本发明通过炉管热扩散工艺替代原离子注入进行扩散区的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。