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本发明公开了一种构造浮栅的方法，包括如下步骤：在晶圆上表面依次沉积栅氧层、多晶硅层、氧化物层和氮化硅层；在氮化硅层之上涂布光刻胶；采用具有ｘ方向条纹状图案的光罩对光刻胶进行第一次曝光；采用具有ｙ方向条纹状图案的光罩对光刻胶进行第二次曝光并显...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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