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有机发光器件的制造方法，该方法包括：在阳极（２）上沉积有机发光层（３）并在有机发光层上沉积阴极，其中该阴极包含如下形成的三层结构：沉积包含电子注入材料的第一层（４ａ）；在该第一层上沉积第二层（４ｂ），该第二层包含具有大于３．５ｅＶ的功函数的...该专利属于剑桥显示技术有限公司;萨美甚株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过剑桥显示技术有限公司;萨美甚株式会社授权不得商用。
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有机发光器件的制造方法，该方法包括：在阳极（２）上沉积有机发光层（３）并在有机发光层上沉积阴极，其中该阴极包含如下形成的三层结构：沉积包含电子注入材料的第一层（４ａ）；在该第一层上沉积第二层（４ｂ），该第二层包含具有大于３．５ｅＶ的功函数的...