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晶能光电江西有限公司
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硅衬底GaN基半导体材料的制造方法技术
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文档序号:4931082
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本发明提供一种硅衬底GaN基半导体材料的制造方法,该方法用于解决在外延GaN基半导体材料的过程中,Ga对硅表面回熔的问题,以提高产品的品质和提高生产效率。该方法包括:在专门用于生长氮化铝缓冲层的第一个MOCVD的反应室内,在硅衬底上生成氮化...
该专利属于晶能光电(江西)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶能光电(江西)有限公司授权不得商用。
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