温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示一种含碳物种的冷植入技术。在一例示性实施例中，此技术可以以一种离子注入装置来实现。离子注入装置包括冷却设备以及离子注入机。冷却设备将目标材料冷却至预定温度。离子注入机在预定温度下将含碳物种植入目标材料，以改善张力和非晶化的至少其中...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。