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本发明公开了一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，包含以下步骤：１）在硅基片或硅外延层上刻蚀形成一系列沟槽；２）用卤化氢气体对沟槽顶部直角进行再刻蚀，使其形成钝角；３）在高温炉管内于沟槽内部及表面生长一层热氧化硅；４）用湿法刻蚀去...该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种将较大尺寸沟槽顶部直角改变成明显圆角的方法，包含以下步骤：１）在硅基片或硅外延层上刻蚀形成一系列沟槽；２）用卤化氢气体对沟槽顶部直角进行再刻蚀，使其形成钝角；３）在高温炉管内于沟槽内部及表面生长一层热氧化硅；４）用湿法刻蚀去...