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本发明揭露了一种ＴＦＴ阵列结构及其制造方法，所述ＴＦＴ阵列结构包括：基板；形成于基板上的栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极；形成于栅电极上的栅电极绝缘层；形成于栅电极绝缘层上的半导体有源层；形成于栅电极绝缘层上的数据线、漏电极、与...
该专利属于上海天马微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海天马微电子有限公司授权不得商用。

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