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本实用新型公开了一种表面粗化的发光二极管芯片，在衬底正面形成锥状的光学微结构，在刻蚀后的衬底正面生长ｎ型半导体层、发光层和ｐ型半导体层，通过刻蚀形成负电极焊线区，在负电极焊线区上制作负电极金属层，在ｐ型半导体层上制作正电极金属层，在负电极金...
该专利属于鹤山丽得电子实业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鹤山丽得电子实业有限公司授权不得商用。

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