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本申请属于半导体技术领域，具体公开了一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET，该SiC MOSFET包括：SiC衬底；形成位于SiC衬底上的外延层；形成在外延层上的多分支异形栅极结构，该栅极结构包括主沟槽和从主沟槽中部水平延伸的多个侧...
该专利属于深圳市杜因特半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市杜因特半导体有限公司授权不得商用。

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