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本公开涉及分层籽晶、分层籽晶制造方法和用分层籽晶生长大体积单晶的方法。用于在坩埚(1200)中沿生长方向(Y)通过气相生长生长大体积单晶的分层籽晶包括：单晶生长层(110)，其具有用于生长大体积单晶的生长表面(112)和相对的用于将单晶生长...
该专利属于硅晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅晶体有限公司授权不得商用。

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