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本发明公开了一种用于真空度检测的三电极双层CMUT及其制备方法，包括第一CMUT单元和第二CMUT单元，第一CMUT单元在第二CMUT单元上方，其结构自上而下为上电极、绝缘层、上薄膜和上支柱，上支柱设第二CMUT单元上方且含上空腔。第二CM...
该专利属于陕西科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过陕西科技大学授权不得商用。

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