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本发明公开了一种Mg掺杂GaN材料及其制备方法和应用，属于GaN材料技术领域，其制备方法包括：在衬底上生长Mg掺杂GaN层，制得基体材料；于N2或N2/O2混合气氛条件下，将基体材料进行退火处理，退火的同时对基体材料施加交变电场；退火结束后...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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