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本申请实施例提供一种纳米限域压电耦合光催化剂及其制备方法和应用，其中，本申请实施例所提供的压电耦合光催化剂包括AgNbO3‑Bi2Sn2O7，且AgNbO3与Bi2Sn2O7的粒径均为纳米级，能够耦合压电材料和半导体特性，将光催化和压电催化...该专利属于哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）授权不得商用。