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本发明提供一种光刻胶高速旋涂均匀性优化方法，包括：向旋涂腔体内通入氮气，以在旋涂腔体内形成氮气环境；在氮气环境下，对涂覆有光刻胶的晶圆进行旋涂，并控制旋涂的转速，使得基于氮气环境计算的雷诺数低于预设的湍流临界雷诺数；以及在旋涂过程中，对旋涂...
该专利属于华虹半导体制造（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体制造（无锡）有限公司授权不得商用。

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