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本发明实施例公开了一种沟槽碳化硅MOSFET芯片及其制造方法，芯片包括：第一导电类型衬底、依次设置在所述第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区，在所述第一导电类型源区之间设置栅沟槽，在所述栅沟槽中设置有多...
该专利属于株洲中车时代半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代半导体有限公司授权不得商用。

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