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一种高性能半导体热电晶棒的制备方法及其应用技术
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文档序号:46607114
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本发明提供了一种高性能半导体热电晶棒的制备方法及其应用,涉及热电材料领域。通过额外添加10‑15%的Te,协同体积比为3~5:1的Ar和H2混合气体环境中熔炼,经摇摆、冷却、区熔及后处理得到高性能半导体热电晶棒。额外添加的Te补偿高温熔炼过...
该专利属于香河东方电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过香河东方电子有限公司授权不得商用。
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