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本发明公开了一种碳化硅超级结VDMOSFET器件结构及其制备方法，属于半导体领域，包括漏极、衬底、耐压层、P型屏蔽层、P阱层、N+源区、P+源区、源极以及栅极，衬底设置于漏极的上表面，耐压层设置于衬底的上表面；耐压层包括N柱区和位于N柱区两...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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