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本发明公开了一种低损耗高可靠性的沟槽型功率器件及制备方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、栅极沟槽、栅介质层、第一导电类型源区、第二导电类型源区、第二导电类型体区、第二导电类型屏蔽层、第二导电类型电位调控区以及顶部金属和底部金属；...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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