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本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种GaN基二极管及其制备技术。本发明在传统的肖特基p‑GaN栅HEMT的阳极上集成了凹槽肖特基二极管，凹槽的刻蚀以及阳极肖特基金属沉积与p‑GaN HEMT栅极肖特基金属制备工艺的钝化层开孔以及金属...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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