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本发明提供一种FTO基修饰电极及其制备方法和应用。所述方法包括：将FTO导电玻璃进行预处理，得到FTO基片；将所述FTO基片与钨源混合，加热至第一温度并反应，得到固载型FTO基片；将钨钼废料和过氧化氢混和，然后加入乙醇，加热至第二温度并反应...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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