温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体领域，本发明公开了一种p型氧化镓薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底上生长预处理层；S2、将生长预处理层后的衬底置于保护气体氛围中，加热升温至处理温度；S3、在氮等离子体氛围中，用一维线条状激光对衬底进行辐照；S4、在...
该专利属于泉州师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过泉州师范学院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。