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本发明涉及紫外光电探测器制备领域，具体涉及一种基于4H‑SiC‑GaN异质结构的p‑i‑n型紫外光电探测器及其制备方法，在材料结构层面，极大程度地降低了位错缺陷，为后续高质量晶体生长筑牢根基，确保探测器在复杂工况下结构稳定，有效避免因热胀冷...
该专利属于南通恒锐半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通恒锐半导体有限公司授权不得商用。

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