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本发明提供了一种包含缓冲单元的混合功率模块及其制造方法，该模块包括：单个或多个功率子单元，其嵌于PCB板中，包括：铜槽结构、堆叠于铜槽结构内的Si MOSFET芯片和SiC JFET芯片；Si MOSFET芯片上设有电极片，电极片的一端与S...
该专利属于派恩杰半导体（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派恩杰半导体（浙江）有限公司授权不得商用。

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